pg在线免费试玩网址：昆山清元请求多层薄膜电容器及其制备办法专利处理单层介质层厚度难做到1微米以下的问题

  国家知识产权局信息数据显现，昆山清元电子科技有限公司请求一项名为“多层薄膜电容器及其制备办法”的专利，公开号CN121331661A，请求日期为2025年11月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种多层薄膜电容器及其制备办法，触及电容器技能领域。其间，该多层薄膜电容器，包含：基底层；电介质层，沿预设方向设置于所述基底层上；内电极层，设置于所述电介质层之间；外电极，别离与所述电介质层和所述基底层相连；其间，所述电介质层和所述内电极层替换叠加，以构成多层电容器结构。本发明，处理在现存技能中，经过流延工艺制作的MLCC介质层厚度通常在几微米至几十微米之间，却很难将单层介质层厚度做到1微米以下的问题。

  天眼查资料显现，昆山清元电子科技有限公司，成立于2024年，坐落苏州市，是一家以从事研讨和实验开展为主的企业。企业注册资本1179.7759万人民币。经过天眼查大数据分析，昆山清元电子科技有限公司共对外出资了4家企业，参加招投标项目2次，专利信息43条，此外企业还具有行政许可2个。

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